射频CCP薄膜沉积装置

DHDP1射频CCP薄膜沉积装置

 DHDP1射频CCP薄膜沉积装置主要由薄膜沉积室、真空抽气系统、气源进气调节系统、衬底加热温度控制系统等部分组成。

   通过本实验装置可以掌握CVD（化学气相沉积）；理解CVD的成膜过程及要求，化学输运反应的原理，等离子体CVD的原理、特点及等离子体的激励方式；了解该技术在电学、光学、微电子学等领域的广阔应用前景。

可开设的实验

1、P型微晶硅材料及在薄膜太阳能电池上的应用；

    2、硅系纳米复合薄膜材料PCVD法制备；

    3、电容耦合/电感耦合等离子体化学气相沉积制备各种功能薄膜。

主要技术参数

    1、薄膜沉积室：由不锈钢底与玻璃钟罩组成；有效尺寸：Φ220×H230mm；

    2、薄膜沉积室本底真空： ≤1Pa；

    3、射频耦合方式：电容耦合/电感耦合；射频源功率：带500W  13.56MHz；

    4、气路系统：由三路转子流量计控制（可选配质量流量计）；

    5、衬底加热温度：室温至300℃可控；

    6、平行板电极：Φ70mm；

    7、工作反应气体：由电极板上微孔均匀导入；

    8、真空抽气系统：2XZ-4型旋片机械泵，4L/S，单相220V交流电源供电；

    9、管道、阀门：材质使用不锈钢和金属波纹管；

    10、对过流过压、断路等异常情况进行报警，并执行相应保护措施；

    11、供电电源：AC220V，50Hz，整机功率2KW。