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供应SRAM电流型存储器

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公司: 北京盛世元华卫星通信技术有限公司 
规 格:
单 价: 1元/ 询价 
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供货总量: 1
发货期限: 自买家付款之日起 天内发货
有效期至: 长期有效
最后更新: 2010-10-06
相关信息
 
产品详细说明
 
 
 
 
SRAM电流型的SRAM,他比电压型的速度快了很多,采用的是3T-iRAM™的专利技术,这独一无二3T-iRAM™的技术也读写时的零延时.
 
SRAM提供高密度大容量的存储器,普通的存储器是由六个三极管组成一位,而3T-iRAM™是由3三极管组成一位,减少了50%的空间,增大了一倍的容量
 
3T-iRAM™目前主要分为三大类:
1)  72M位的普通速度NoBL的SRAM(流水线型)完全兼容,速度250M.高可靠性,低电压操作
2)  72M位高速的NoBL的SRAM(流水线型)速度500M.
3)  72M位高效防错性NoBL的SRAM(流水线型) 内部ECC,刷新和错误报告
 
72M位的普通速度NoBL的SRAM(流水线型) TSC2L72T18/36/72
 
特点:
 
独特3T-iRAM防错技术
 
NoBL,读写转换没有延时
 
跟流水线的NtRAM™, NoBL™ and ZBT™ 完全兼容
 
内核的供电电压2.5V,+10%.I/O的承受电压1.8V或2.5V
 
内有可选择的强大的驱动
 
完全一样的IEEE 1149.1边界扫描可以选择直线的或隔行的迸发模式
 
管脚兼容(2/4/9/18/36Mb)
 
字节操作(9BIT)
 
3根片选信号,方便深度扩张
 
在掉电状态ZZ脚高阻态
 
标准的119/165/209球状封装
 
3T-iRAM™是独特的动态存储器, Tezzaron已经处理成为与SRAM一样的截面和时序, 3T-iRAM™独特的设计,其软件纠错能力比同等容量的SRAM提高了10倍;
 
TSC2L72T18/36/72是如同ZBT, NtRAM, NoBL的一样的同步SRAM,在读到写的过程,有效的克服了2个周期的死周期,提高了总线的使用率和带宽;
 
和所有的同步SRAM一样,地址,数据,读/写命令在CLK的上升沿所定,在电源到正常时,才能控制迸发模式的命令,不同步的输入,包括睡眠模式的使能和输出模式的使能,输出使能可以随意关闭同步的输出.在CLK的上升时,写周期可以自动关闭和开始,这样避免了片选的写脉冲的发生装置,简化的输入信号的时序.
 
TSC2L72T18/36/72是流水线型的存储器,上升沿出发输出寄存器在读的周期内,数据存储在触发储存寄存器内,释放出来在下一个上升沿
 
72M位高速的Nobl的SRAM(流水线型) TSC2X72T18/36/72
 
特点
 
速度高达500M
 
独特3T-iRAM防错技术
 
NoBL,读写读转换零延时
 
跟流水线的NtRAM™, NoBL™ and ZBT™ 完全兼容
 
内核的供电电压2.5V,+10%.I/O的承受电压1.8V或2.5V
 
内有可选择的速度加速器
 
完全一样的IEEE 1149.1边界扫描
 
可以选择直线的或隔行的迸发模式
 
管脚兼容(2/4/9/18/36Mb)
 
字节操作(9BIT)
 
3根片选信号,方便深度扩张
 
在掉电状态ZZ脚高阻态
 
标准的119/165/209球状封装
 
3T-iRAM™是独特的动态存储器, Tezzaron已经处理成为与SRAM一样的截面和时序, 3T-iRAM™独特的设计,其软件纠错能力比同等容量的SRAM提高了10倍;
 
TSC2X72T18/36/72是如同ZBT, NtRAM, NoBL的一样的同步SRAM,在读到写的过程,有效的克服了2个周期的死周期,提高了总线的使用率和带宽
 
和所有的同步SRAM一样,地址,数据,读/写命令在CLK的上升沿所定,在电源到正常时,才能控制迸发模式的命令,不同步的输入,包括睡眠模式的使能和输出模式的使能,输出使能可以随意关闭同步的输出.在CLK的上升时,写周期可以自动关闭和开始,这样避免了片选的写脉冲的发生装置,简化的输入信号的时序.
 
TSC2X72T18/36/72是流水线型的存储器,上升沿出发输出寄存器在读的周期内,数据存储在触发储存寄存器内,释放出来在下一个上升沿
 
72M位错误校正的Nobl的SRAM(流水线型) TSC2E72T18/36/72
 
特点:
 
独特3T-iRAM防错技术
 
多层次的数据保护(内部ECC,周期刷新和错误报告)
 
NoBL,读写读转换零延时
 
跟流水线的NtRAM™, NoBL™ and ZBT™ 完全兼容
 
内核的供电电压2.5V,+10%.I/O的承受电压1.8V或2.5V
 
内有可选择的速度加速器
 
完全一样的IEEE 1149.1边界扫描
 
可以选择直线的或隔行的迸发模式
 
管脚兼容(2/4/9/18/36Mb)
 
字节操作(9BIT)
 
3根片选信号,方便深度扩张
 
在掉电状态ZZ脚高阻态
 
标准的119/165/209球状封装
 
T-iRAM™是独特的动态存储器, Tezzaron已经处理成为与SRAM一样的截面和时序, 3T-iRAM™独特的设计,其软件纠错能力比同等容量的SRAM提高了10倍,增加的多层次的数据保护,数据出错率比普通SRAM低100倍, 多层次的数据保护提供了周期错误刷洗和ECC报告
 
TSC2E72T18/36/72是如同ZBT, NtRAM, NoBL的一样的同步SRAM,在读到写的过程,有效的克服了2个周期的死周期,提高了总线的使用率和带宽
 
和所有的同步SRAM一样,地址,数据,读/写命令在CLK的上升沿所定,在电源到正常时,才能控制迸发模式的命令,不同步的输入,包括睡眠模式的使能和输出模式的使能,输出使能可以随意关闭同步的输出.在CLK的上升时,写周期可以自动关闭和开始,这样避免了片选的写脉冲的发生装置,简化的输入信号的时序.
 
TSC2E72T18/36/72是流水线型的存储器,上升沿出发输出寄存器在读的周期内,数据存储在触发储存寄存器内,释放出来在
 

公司联系方式
  • 北京盛世元华卫星通信技术有限公司 [加为商友]
  • 联系人贾伟(先生) 总经理 
  • 地区北京
  • 地址海淀区皂君庙14号院7号楼1806
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