供应SRAM电流型存储器

 

 

SRAM电流型的SRAM,他比电压型的速度快了很多,采用的是3T-iRAM™的专利技术,这独一无二3T-iRAM™的技术也读写时的零延时.

 

SRAM提供高密度大容量的存储器,普通的存储器是由六个三极管组成一位,而3T-iRAM™是由3三极管组成一位,减少了50%的空间,增大了一倍的容量

 

3T-iRAM™目前主要分为三大类:

1)  72M位的普通速度NoBL的SRAM(流水线型)完全兼容,速度250M.高可靠性,低电压操作

2)  72M位高速的NoBL的SRAM(流水线型)速度500M.

3)  72M位高效防错性NoBL的SRAM(流水线型) 内部ECC,刷新和错误报告

 

 

 

独特3T-iRAM防错技术

 

NoBL,读写转换没有延时

 

跟流水线的NtRAM™, NoBL™ and ZBT™ 完全兼容

 

内核的供电电压2.5V,+10%.I/O的承受电压1.8V或2.5V

 

内有可选择的强大的驱动

 

完全一样的IEEE 1149.1边界扫描可以选择直线的或隔行的迸发模式

 

管脚兼容(2/4/9/18/36Mb)

 

字节操作(9BIT)

 

3根片选信号,方便深度扩张

 

在掉电状态ZZ脚高阻态

 

标准的119/165/209球状封装

 

3T-iRAM™是独特的动态存储器, Tezzaron已经处理成为与SRAM一样的截面和时序, 3T-iRAM™独特的设计,其软件纠错能力比同等容量的SRAM提高了10倍;

 

TSC2L72T18/36/72是如同ZBT, NtRAM, NoBL的一样的同步SRAM,在读到写的过程,有效的克服了2个周期的死周期,提高了总线的使用率和带宽;

 

和所有的同步SRAM一样,地址,数据,读/写命令在CLK的上升沿所定,在电源到正常时,才能控制迸发模式的命令,不同步的输入,包括睡眠模式的使能和输出模式的使能,输出使能可以随意关闭同步的输出.在CLK的上升时,写周期可以自动关闭和开始,这样避免了片选的写脉冲的发生装置,简化的输入信号的时序.

 

TSC2L72T18/36/72是流水线型的存储器,上升沿出发输出寄存器在读的周期内,数据存储在触发储存寄存器内,释放出来在下一个上升沿

 

 

 

速度高达500M

 

独特3T-iRAM防错技术

 

NoBL,读写读转换零延时

 

跟流水线的NtRAM™, NoBL™ and ZBT™ 完全兼容

 

内核的供电电压2.5V,+10%.I/O的承受电压1.8V或2.5V

 

内有可选择的速度加速器

 

完全一样的IEEE 1149.1边界扫描

 

可以选择直线的或隔行的迸发模式

 

管脚兼容(2/4/9/18/36Mb)

 

字节操作(9BIT)

 

3根片选信号,方便深度扩张

 

在掉电状态ZZ脚高阻态

 

标准的119/165/209球状封装

 

3T-iRAM™是独特的动态存储器, Tezzaron已经处理成为与SRAM一样的截面和时序, 3T-iRAM™独特的设计,其软件纠错能力比同等容量的SRAM提高了10倍;

 

TSC2X72T18/36/72是如同ZBT, NtRAM, NoBL的一样的同步SRAM,在读到写的过程,有效的克服了2个周期的死周期,提高了总线的使用率和带宽

 

和所有的同步SRAM一样,地址,数据,读/写命令在CLK的上升沿所定,在电源到正常时,才能控制迸发模式的命令,不同步的输入,包括睡眠模式的使能和输出模式的使能,输出使能可以随意关闭同步的输出.在CLK的上升时,写周期可以自动关闭和开始,这样避免了片选的写脉冲的发生装置,简化的输入信号的时序.

 

TSC2X72T18/36/72是流水线型的存储器,上升沿出发输出寄存器在读的周期内,数据存储在触发储存寄存器内,释放出来在下一个上升沿

 

 

 

独特3T-iRAM防错技术

 

多层次的数据保护(内部ECC,周期刷新和错误报告)

 

NoBL,读写读转换零延时

 

跟流水线的NtRAM™, NoBL™ and ZBT™ 完全兼容

 

内核的供电电压2.5V,+10%.I/O的承受电压1.8V或2.5V

 

内有可选择的速度加速器

 

完全一样的IEEE 1149.1边界扫描

 

可以选择直线的或隔行的迸发模式

 

管脚兼容(2/4/9/18/36Mb)

 

字节操作(9BIT)

 

3根片选信号,方便深度扩张

 

在掉电状态ZZ脚高阻态

 

标准的119/165/209球状封装

 

T-iRAM™是独特的动态存储器, Tezzaron已经处理成为与SRAM一样的截面和时序, 3T-iRAM™独特的设计,其软件纠错能力比同等容量的SRAM提高了10倍,增加的多层次的数据保护,数据出错率比普通SRAM低100倍, 多层次的数据保护提供了周期错误刷洗和ECC报告

 

TSC2E72T18/36/72是如同ZBT, NtRAM, NoBL的一样的同步SRAM,在读到写的过程,有效的克服了2个周期的死周期,提高了总线的使用率和带宽

 

和所有的同步SRAM一样,地址,数据,读/写命令在CLK的上升沿所定,在电源到正常时,才能控制迸发模式的命令,不同步的输入,包括睡眠模式的使能和输出模式的使能,输出使能可以随意关闭同步的输出.在CLK的上升时,写周期可以自动关闭和开始,这样避免了片选的写脉冲的发生装置,简化的输入信号的时序.

 

TSC2E72T18/36/72是流水线型的存储器,上升沿出发输出寄存器在读的周期内,数据存储在触发储存寄存器内,释放出来在