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| 品牌： | 尼塞拉 | 型号： | RE200B | 种类： | 温度 |
| 材料： | 混合物 | 材料物理性质： | 半导体 | 材料晶体结构： | 多晶 |
| 制作工艺： | CMOS工艺 | 输出信号： | 开关型 | 防护等级： | 1 |
| 线性度： | 1（%F.S.） | 迟滞： | 1（%F.S.） | 重复性： | 1（%F.S.） |
| 灵敏度： | 1 | 漂移： | 1 | 分辨率： | 1 |
产品说明：双元热释电红外传感器 RE200B
灵敏元面积 2.0×1.0mm2
基片材料 硅
基片厚度 0.5mm
工作波长 7-14μm
平均透过率 ＞75%
输出信号 ＞2.5V
(420°k黑体1Hz调制频率0.3-3.0Hz 带宽72.5db增益)
噪声 ＜200mV
(mVp-p) (25℃)
平衡度 ＜20%
工作电压 2.2-15V
工作电流 8.5-24μA
(VD=10V,Rs=47kΩ,25℃)
源极电压 0.4-1.1V
(VD=10V,Rs=47kΩ,25℃)
工作温度 -20℃- +70℃
保存温度 -35℃- +80℃
视场 139°×126°
说明 该传感器采用热释电材料极化随温度变化的特性探测红外辐射，采用双灵敏元互补方法抑制温度变化产生的干扰，提高了传感器的工作稳定性。
使用 1、上述特性指标是在源极电阻R2=47KΩ条件下测定的，用户使用传感器时，可根据自己的需要调整R2的大小。
2、注意灵敏元的位置及视场大小，以便得到最佳光学设计。
3、所有电压信号的测量都是采用峰一峰值定标。平衡度B中的EA和EB分别表示两个灵敏元的电压输出信号的峰一峰值。
4、使用传感时，管脚的弯曲或焊接部位应离开管脚基部4mm以上。
5、使用传感器前，应先参考说明书，尤其要防止接错管脚
产品说明：双元热释电红外传感器 RE200B
灵敏元面积 2.0×1.0mm2
基片材料 硅
基片厚度 0.5mm
工作波长 7-14μm
平均透过率 ＞75%
输出信号 ＞2.5V
(420°k黑体1Hz调制频率0.3-3.0Hz 带宽72.5db增益)
噪声 ＜200mV
(mVp-p) (25℃)
平衡度 ＜20%
工作电压 2.2-15V
工作电流 8.5-24μA
(VD=10V,Rs=47kΩ,25℃)
源极电压 0.4-1.1V
(VD=10V,Rs=47kΩ,25℃)
工作温度 -20℃- +70℃
保存温度 -35℃- +80℃
视场 139°×126°
说明 该传感器采用热释电材料极化随温度变化的特性探测红外辐射，采用双灵敏元互补方法抑制温度变化产生的干扰，提高了传感器的工作稳定性。
使用 1、上述特性指标是在源极电阻R2=47KΩ条件下测定的，用户使用传感器时，可根据自己的需要调整R2的大小。
2、注意灵敏元的位置及视场大小，以便得到最佳光学设计。
3、所有电压信号的测量都是采用峰一峰值定标。平衡度B中的EA和EB分别表示两个灵敏元的电压输出信号的峰一峰值。
4、使用传感时，管脚的弯曲或焊接部位应离开管脚基部4mm以上。
5、使用传感器前，应先参考说明书，尤其要防止接错管脚
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