1、性能参数及技术指标
分析元素范围：Na-U；
元素含量分析范围：1ppm-99.99%（采用1024道多道分析器，分析精度更高）；
采用美国航天技术的Si(PIN)半导体探测器计数，配合专利的数字脉冲处理技术，能量分辨率优于139eV；
测量范围：1-40KeV；
重复性：<0.1%；稳定性：<0.01%；
高压：5kV-40kV（激发源为进口40KV-钨靶微型X射线管）；
管流：5μA-200μA；（可减少整机功耗和降低辐射）；
整机功率：4W；
整机能量分辨率：150±5eV；
检测时间：300S（一键完成从ROHS测试开始到卤素测试结束）；
仪器重量：3Kg；
仪器尺寸：250（W）X120（D）X350（H）mm；
工作环境温度：温度0-40℃；样品温度＜70℃；
最低检出限：Pb/Cd/Hg/Br≤10ppm,Cr≤30ppm,Cl≤80PPm；
工作环境相对湿度：≤99%（不结露）；
测量物质状态：固体、粉末、液体均可测，制样简单；
校正方式：采用欧盟RoHS塑胶标样校准数据；
一体化设计，性能稳定，运行可靠，性价比高；操作简单，测量时间短，同时配备掌上PDA，分析仪通过无线蓝牙技术可单独和PDA进行通信测试，方便使用；
稳定精确的卤素测试模式（Cl总含量和Br总含量）和精确的RoHS测试模式；
Cl的检测下限达80ppm，技术指标遥遥领先国际水平（Cl元素检测受其他干扰元素影响小，精度高）；
适用于电子产品、工具、玩具等RoHS/WEEE有害元素（Pb、Hg、Br、Cd、Cr）检测；
钢铁、铝业、水泥、有色、玻璃、耐火材料等行业全元素的快速检测；
专业精确卤素检测；
2、仪器硬件配置
采用进口的美国航天技术的Si（PIN）半导体探测器系列
采用独特专利数字脉冲采集电路及专利的电源管理技术
采用进口的X光管
采用进口的专用的X光管高压电源
采用专有金属滤光片技术和切换技术
采用精密的系统控制电路和数字处理电路
采用专有的分析算法软件模块V2.0A
配备专业的卤素测试模式和RoHS测试模式
配备Dell的Intel双核CPU电脑（1G内存、160G硬盘）
配备Dell19”宽屏高清液晶显示器
配备USB2.0蓝牙适配器
配备高档的激光打印机
配备专用的制样机
配备专用的PDA
配备专用的测试薄膜、测试样杯
配备专用的测试标样一套 |
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