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Magneto-Resistor Serial
Magnetic Resistor Sensors
DM111A 磁 敏 电 阻 元 件
DM111A薄膜磁敏电阻元件，是采用NiCo合金材料和半导体工艺技术制作而成。.具有下列特点:
1. 在弱磁场下,具有很高灵敏度;
2. 能检测磁场方向和极性;
3. 频率特性优良,并具有倍频特性;
4. 宽的工作温度范围;
5. 标称阻值极大,元件功耗极小,适合于电池供电;
薄膜磁敏电阻元件的技术指标:
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DM111A |
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工作电压 |
1.5 V |
5 V |
10V |
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输出电压(mV) |
30mV |
70mV |
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测量范围Hy |
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±50Gs |
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标称阻值(KΩ) |
500 KΩ |
650 KΩ |
800 KΩ |
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线性度 |
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小于1℅ |
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灵敏度Sy |
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0.28 mV/V/Gs |
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温度系数（恒压） |
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-0.4﹪/℃ |
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温度系数（恒流） |
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-0.1﹪/℃ |
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频率特性(KHz) |
0KHz |
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1000KHz |
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工作温度(℃) |
-40℃ |
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+80℃ |
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封装 |
M - 102 | |||
工作原理:
DM111A磁敏电阻元件的结构示意图和等效电路图见图,在1、3脚之间加一稳定的电压，有一微弱磁场先后作用于桥式磁阻元件时，在第2脚会出现随外加的磁场的变化而变化的信号。
应用:
1. 旋转磁轮和运动磁条的转速或速度检测;
2. 水、气流量表.;
