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供应高频高压大容量无感吸收电容

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公司: 深圳市天明伟业电子有限公司 
单 价: 面议 询价 
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供货总量: 100
发货期限: 自买家付款之日起 天内发货
有效期至: 长期有效
最后更新: 2012-10-31
相关信息
 
产品详细说明

高压大容量无感吸收电容器

产品介绍:

采用金属化薄膜无感式卷绕,特殊喷金工艺,迈拉胶带封装,阻燃环氧树脂密封,镀锡铜线引出。

 

特点:

*稳定性高 *频率特性好 *体积小 *自愈性好 *耐压高 *过电流能力强

 

用途:

主要用于UPS变频器、电镀电源、逆变焊机等其他电力电子设备,IGBT吸收高频尖峰电压、电流用。

 

引用标准:

符合IEC61071 GB17702.1 CGE企业标准

 

经典电路图:

 

 

性能指标 / 规格外型尺寸:

 

 

 

 

性能指标:

使用温度范围 -40℃~+85℃
电容量 5.0-30UF
电容量偏差 ±5%(J) ±10%(K)
额定电压 600~2000V.DC(50KHz)
耐电压 1.75UN/60S
损耗角正切 tgδ≤0.0005(at 10KHz)
绝缘电阻 ≥300MΩ(at20℃  100V.DC)
耐冲击电流能力 dv/dt>1000v/μs
阻燃性 UL94V-0
杂散电感 ≤30nH


规格外形尺寸:

容量

1200V.DC

(μF)

T1(mm)

T2(mm)

φd

dv/dt(V/μS)

Irms(△T<25℃Tθ=30℃)

Rs(mΩ)(at20℃ 100V.DC)

10

55*55

 

M6(铜柱)

1500

3.2

≥15

15

55*55

 

M6(铜柱)

1250

3.2

≥18

30

55*55

 

M6(铜柱)

1100

3.4

≥22

30

65*56.5

 

M6(铜柱)

1000

3.5

≥25

规格外形尺寸:

容量

1200V.DC

(μF)

T1(mm)

T2(mm)

φd

dv/dt(V/μS)

Irms(△T<25℃Tθ=30℃)

Rs(mΩ)(at20℃ 100V.DC)

30

65*56.5

 

M6(铜柱)

1000

2.6

≥35

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公司联系方式
  • 深圳市天明伟业电子有限公司 [加为商友]
  • 联系人罗子明(先生) 市场销售 
  • 地区广东-深圳市
  • 地址宝安区龙华镇宇丰城工业区
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