供应IST8800半导体元件测试仪-CK365测控网

产品特点：

IST8800提供了40种测量参数，它们分别为：
·三极管：Icbo,lceo,lebo,Bvcbo,Bvebo,Bvceo,Vce(sat)Vbe{sat}Hfe，Icer,1Cesm，
Icev,BVCer，BvceS,Bvcev；
·二极管：Ir,BVr,Vr  ·齐纳二极管：BVz,lzr,Vzr,Vzf  J—FET：Idss；
Igss,BVgss,gm，SCR&TRIAC：+/|lgt,+/|vgt
·稳压器：+/_VO,+lib，△V  MOS-PET：Idss，Igss,BVdss,Vgs(th)
性能特点：·后备电池的CMOS RAM，提供56个不同测试程序的参数与数据的存储功能·全部
可编程的DUT恒流源和电压源
· 300μS脉冲测试或直流测试·内置继电器矩阵提供更加灵活并且准确的测量·软件自校
准功能·内部自动保护电路在DUT加电前，检测开路、短路，PH结反向，辨别器件类型(NPN
或PNP、P-沟道或N-沟道)，校验正确的连接·测试分辨率小到0.1nA电流，大到1200V电压·
重复“回路”式测试解决了元件发热与间歇的问题。

〖TOP〗

技术规格：

参数规范： 漏电流：三极管 icbo,iceo,icev,ices,ice r二极 izr J/MOS-FET 栅极电压： idss

测试范围	分辨率	精度	测试条件
0 ～ 2mA	1μA	+/-1%	0 ～ 600V*
0 ～ 20μA	10nA	+/-1%	0 ～ 600V*
0 ～ 2μA	1nA	+/-1%	0 ～ 600V*
0 ～ 200μA	0.1nA	+/-3%	0 ～ 600V*

击穿电压：三极管 Bvcbo,Bvceo,Bvebo,Bvcev,Bvces,Bvcer, 齐纳二极管 Vzr J/MOS场效应管BVgss/bvdss

测试范围	分辨率	精度	测试条件
0 ～ 30V	0.15V	+/-1%	0 ～ 10 mA
30 ～ 600V	3V	+/-2%	0 ～ 2 mA

正向导通电压：三极管 Vce(sat)Vbe(sat)二极管Vf J/MOS 场效应管Vgs(th) 极管Bvr齐纳管Vzf

测试范围	分辨率	精度	测试条件
0 ～ 4V	1 mV	+/-1%	0 ～ 5A(1c.1f)
0 ～ 15V	1 mV	+/-2%	0 ～ 1A(1b)

三极管电流增益 Hfe

测试范围	分辨率	精度	测试条件
0 ～ 9999	1	+/-2%	0 ～ 10(Vce)
			0.5mA ～ 5A(lc)

齐纳二极管反向击穿压BVz

测试范围	分辨率	精度	测试条件
0 ～ 4V	1mV	+/-1%	0 ～ 0.5A
4 ～ 60V	15mV	+/-1%	0 ～ 0.5A

J/MOS场效应管lgss，稳压器静态电流+/-lgt

测试范围	分辨率	精度	测试条件
0 ～ 200 mA	0.1 mA	+/-1%	0 ～ 30V
0 ～ 20 mA	1μA	+/-1%	0 ～ 30V
0 ～ 2μA	10 nA	+/-1%	0 ～ 30V
0 ～ 2μA	1 nA	+/-2%	0 ～ 30V

J型场效应管跨导gm

测试范围	分辨率	精度	测试条件
0 ～ 99mMHo	0.05 mMHo	+/-1%	0 ～ 30V
0 ～ 99μMHo	0.05μMHo	+/-1%	0 ～ 30V
0 ～ 99nMHo	0.05 nMHo	+/-2%	0 ～ 30V

可控硅管和三端双向可控硅管触发电流 +/-lgt

测试范围	分辨率	精度	测试条件
0 ～ 1A	5 mA	+/-1%	0.9 ～ 5V
0 ～ 100 mA	0.5 mA	+/-1%	0.9 ～ 5V
0 ～ 10 mA	50μA	+/-1%	0.9 ～ 5V
0 ～ 1 mA	5μA	+/-1%	0.9 ～ 5V
0 ～ 1μA	0.5μA	+/-1%	0.9 ～ 5V