Magneto-Resistor Serial
Magnetic Resistor Sensors
磁 敏 电 阻 元 件
铁氧体磁性层与非磁性层的多层薄膜在磁场作用下,其阻值发生很大的变化.该现象叫巨磁阻效应. 磁电阻(MR)传感器是利用具有磁电阻效应的磁性纳米金属多层薄膜材料,通过半导体集成工艺制作而成.具有体积小、灵敏度高、线性度好、线性范围宽、响应频率高、工作温度特性好、可靠性高、成本低等特点 .
薄膜磁敏电阻元件的技术指标:
MTG-L1
MTA-L01
工作电压
5V ~ 8V
工作磁场范围
0 Gs ~ +/-30 Gs
0 Gs ~ +/-50 Gs
标称阻值(KΩ)
0.3---3.5
1.6---3.2
对称性
小于2℅
小于2℅
线性度
小于2℅
小于3℅
灵敏度
0.5~1.5mV/V,Gs
0.1~0.4mV/V,Gs
标称阻值温度系数TCRO
0.09~0.12%/℃
磁阻温度系数TCVΔR/RO
-0.1%/℃
磁阻温度系数TCIΔR/RO
0.031%/℃
分辨率
0.1mGS
频率特性
0----1000 KHz
工作温度
-40℃-------+150℃
封装
TO 92,
封装:MTG-L1/01: TO-92 4*3*1.6mm 磁阻芯片在中心位置.
MTG-L1:TO-92 SIP-3 1. Vcc; 2. 信号输出; 3.Gnd ;
MTA-L01:TO-92 SIP-3 1. Vcc; 2. 信号输出; 3.Gnd ;
应用:
2.地磁场检测,高精度磁补偿电流检测;
3.交通控制系统交通工具检测:车辆分类,是否有车辆存在或通过的运动方向;仃车场车辆存在与否检测.
旋转电机的转速或速度检测; 齿轮传感器.
高速接近传感器;远距离(大于200mm)检测;气缸位置检测。
位移检测。