P+F加速度传感器@P+F压电加速度传感器

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NBN40-L2-E2-V1
NBN5-F7-E0
NBN5-F7-E2
NBN8-18GM50-E0
NBN8-18GM50-E2
NBN8-18GM40-Z0
NCB2-12GM35-NO
NCB50-FP-A2-P1
NCB50-FP-E2-P1
NCN50-FP-W-P1
CJ10-30GK-E
NJ1.5-8GM-N
NJ5-18GM-N
NJ8-18GM-N
NJ20+U1+W
NJ5-18GM50-E2-V1
SJ30-A2
ML5-8-400/32/115
OBT200-18GM60-E5
OBT200-18GM60-E4
OBT500-18GM60-E4
OBT500-18GM60-E5
KFD2-SR2-EX2.W
V15-G-2M-PVC
V1-G-2M-PVC
P+F加速度传感器@P+F压电加速度传感器

LA39/LK39-Z/31/40A/116
LD39/LV39/32/40A/82A/116
RL39-54/32/40A/82A/116
RL39-8-2000/32/40A/82A/116
RLK39-54-Z/31/40A/116
RLK39-8-800/31/40A/116
RLK39-8-2000/31/40A/116
RLK39-8-800-Z/31/40A/116
RLK39-8-2000-Z/31/40A/116
MLV11-54-G/47/112
UC500-30GM-IUR2-V15
UB2000-F42S-U-V15
UB4000-30GM-E5-V15
UC2000-30GM-IUR2-V15
LVL-T1-G3S-E5PG-NA
10-11631-R-1024
联系人；郑小姐 
电话；0769-89775096
手机；15814329785 
传真；0769-21995380 
QQ；2669288401  
邮箱；2669288401@qq.com
地址；东莞市南城区莞太路12号中兴大厦

AVM58N-011K1RHGN-1212
FVM58N-011K2R3GN-1213
PVM58N-011AGROBN-1213
PVM58N-032AGROBN-1213
RHI58N-OBAK1R61N-00500
RHI58N-OBAK1R61N-01024
RHI90N-OHAK1R61N-01000
RHI90N-OIAK1R61N-01024
RVI50N-09BKOA3TN-01000
RVI58N-011K1R61N-01024
TVI50N-09BKOA6TN-01024
集成传感器薄膜传感器 厚膜传感器陶瓷传感器 　　集成传感器是用标准的生产硅基半导体集成电路的工艺技术制造的。通常还将用于初步处理被测信号的部分电路也集成在同一芯片上。 　　薄膜传感器则是通过沉积在介质衬底(基板)上的，相应敏感材料的薄膜形成的。使用混合工艺时，同样可将部分电路制造在此基板上。 　　厚膜传感器是利用相应材料的浆料，涂覆在陶瓷基片上制成的，基片通常是Al2O3制成的，然后进行热处理，使厚膜成形。 　　陶瓷传感器采用标准的陶瓷工艺或其某种变种工艺(溶胶-凝胶等)生产。 　　完成适当的预备性操作之后，已成形的元件在高温中进行烧结。厚膜和陶瓷传感器这二种工艺之间有许多共同特性，在某些方面，可以认为厚膜工艺是陶瓷工艺的一种变型。 　　每种工艺技术都有自己的优点和不足。由于研究、开发和生产所需的资本投入较低，以及传感器参数的高稳定性等原因，采用陶瓷和厚膜传感器比较合理。
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