半导体静电放电发生器(器件敏感度 ESD-606A)专门为半导体器件抗静电测试(HBM人体模式和MM机械模式)而设计,通过阻容套件的改变来满足标准 MIL-STD-883D METHOD3015.7、EIAJED-4701 ConditionB 和 EIAJED-4701 ConditionA 的测试要求。人性化设计、使用方便。
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项 目 MIL-STD-883D/METHOD3015.7 /IEC747-1 EIAJED-4701
输出 电压0—8kV
输出 电压极性正/负
放电电容 100pF±5%/200pF±5%
放电电阻 1.5kΩ/0 Ω
工作形式 单次/计数
放电次数设定 1~9999
放电间隔 0.1~9.9s
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- 苏州泰思特电子科技有限公司
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