场效应管（MOSFETS）芯片，常期稳定供货！
芯片特性：
N-沟道增强模式先进设计能抵抗雪崩及整流模式的能量，这设计提供一个漏极到源极二极管，并具备快速恢复时间。二极管用于桥式电路，能在高温下规定IDSS及VDS（ON）应用这些器件，一般设计用于开关电源，电子变压器，电子镇流器，脉宽调制马达控制中的低压及高速开关应用，这些器件特别适应于二极管速度各整流安全工作区十分关键的桥式电路，并提供附加安全余量，来防止料想不到的瞬压。
主要型号：1N60，2N60，2N7002等
具体资料：http://www.funart.com.hk/
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